На недавней конференции Memcom, компания Samsung раскрыла амбициозные планы по разработке и внедрению памяти 3D DRAM, подчеркнув, что первые шаги в этом направлении будут сделаны в ближайшие четыре года. Этот анонс ставит компанию в авангард технологического прогресса в индустрии памяти.
В рамках своей стратегии, Samsung намерена осуществить переход к производству DRAM, используя транзисторы с вертикальным каналом (VCT), при миграции к более мелким технологическим процессам, менее 10 нм. Эти транзисторы могут быть выполнены в виде модифицированных FinFET, с кремниевым “плавником”, обволакивающим канал, или в форме транзисторов с кольцевым затвором (GAA), где затвор полностью окружает канал. Ожидается, что фокус будет сделан на FinFET технологии для достижения этих целей.
Сейчас перед Samsung стоит задача преодоления двух поколений технологических процессов, чтобы добраться до стадии производства памяти с технологией тоньше 10 нм. Последнее обновление, пятое поколение технологии 10-нм класса (по сути, 12 нм), было представлено в середине 2023 года. Две последующие технологии также будут разрабатываться в рамках 10-нм класса, причём переход к процессам тоньше 10 нм запланирован на вторую половину этого десятилетия.
Освоение 3D транзисторов в DRAM предполагает разработку ячеек памяти по схеме 4F2, что является одним из самых экономически выгодных решений. Ожидается, что производство DRAM с использованием VCT и форматом ячеек 4F2 начнётся в 2027–2028 годах, согласно прогнозам от Tokyo Electron, изготовителя оборудования для чипов. Для успешного производства на базе VCT потребуется применение новых материалов для конденсаторов и разрядных шин.
Кроме того, из материалов Samsung следует, что в начале 2030-х годов компания планирует применить технологию многоуровневой DRAM, что позволит значительно увеличить плотность хранения данных в памяти на следующее десятилетие.
Заключение
В итоге, хотя Samsung озвучила захватывающие планы по внедрению 3D DRAM, на практике это представляет собой длительный процесс. Такие инновации могут кардинально изменить ландшафт технологий памяти, предлагая значительные улучшения в производительности и эффективности.
