С момента своего дебюта в сфере производства высокопроизводительной памяти HBM первого поколения, южнокорейский технологический гигант SK hynix зарекомендовал себя как ключевой поставщик этих микросхем для технологических лидеров, таких как AMD и Nvidia.
С недавним объявлением о запуске новых ускорителей B200 компания подтвердила свои амбиции в области массового производства и поставок следующего поколения микросхем памяти HBM3E, представляющих собой пятую генерацию в линейке HBM. Первые партии этих передовых микросхем уже в конце месяца отправятся крупному клиенту SK hynix, который, судя по всему, будет компанией Nvidia, хотя в официальных материалах компании это не уточняется.
SK hynix также поделилась деталями о применении инновационной технологии MR-MUF, которая способствует улучшению теплоотвода на 10% по сравнению с традиционными методами, используя частичное заполнение формы для изоляции слоев в микросхемах HBM3E. Это улучшение не только повышает эффективность производства, но и увеличивает качество конечной продукции. Соперник SK hynix, Samsung, также проявляет интерес к подобным технологическим новшествам, стремясь увеличить свои производственные мощности и получить одобрение от Nvidia для своей памяти HBM3E.
Способная передавать данные со скоростью 1,18 Тбайт/с, память HBM3E от SK hynix устанавливает новые стандарты производительности. Благодаря успешному освоению производства как четвертого (HBM3), так и пятого поколений (HBM3E) памяти, SK hynix подтверждает свою роль пионера в этой области. Особенно впечатляет тот факт, что разработка и запуск в производство HBM3E были реализованы всего за семь месяцев, что свидетельствует о высоком уровне инновационных способностей и оперативности компании.
